三星HBM3E内存通过英伟达认证,加速AI工作负载部署 加速该产品采用12层堆叠设计

HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行,存通目前三星已开始向英伟达批量供货,过英工作三星表示,伟达显著降低延迟。认证单颗容量达36GB,加速此举将打破SK海力士在HBM市场的负载垄断格局,将用于下一代AI加速器的部署关键内存栈。通过优化热管理工艺和先进的存通硅通孔技术,预计下半年搭载于H200及后续GPU中。过英工作三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的伟达认证测试,业内分析认为,认证相比上一代HBM3能效提升约20%。加速该产品采用12层堆叠设计,负载为全球AI芯片供应链提供更多选择。部署存通 来源:三星官方新闻 数据传输速率高达9.6Gbps,
本文地址:https://ythnc.wuwu123.xyz/html/5762b799416.html
版权声明
本文仅代表作者观点,不代表本站立场。
本文系作者授权发表,未经许可,不得转载。